El precio del almacenamiento flash (como unidades SSD), lleva estancado varios meses. Esto se debe principalmente a la gran demanda de este tipo de memoria por parte de los fabricantes de teléfonos móviles y a una capacidad de producción que no se ha adaptado a dicha demanda.
Con límites claros en el aumento de la densidad horizontal de transistores y con un mercado hambriento de capacidad, tirar hacia arriba es la única solución viable para seguir aumentando el tamaño de la memoria flash. Esa ha sido la tendencia desde que se ha empezado a usar este tipo de memoria como unidad principal de almacenamiento.
En febrero, Western Digital anunció su memoria BiCs de 64 capas con la que es posible fabricar unidades de 1Tb con tan solo 16 integrados. Ayer Samsung anunció que va a aumentar la producción de sus chips de 64 capas que salieron al mercado solo unas semanas antes que los de WD.
En un anuncio lleno de frases vacías y marketing barato, la compañía surcoreana ha dado algunos detalles técnicos sobre su memoria que no hemos tratado aquí anteriormente: se trata de chips de 256Gbits con una tasa de transferencia de 1Gbit por segundo, lo que son 128Mbytes/s (según ellos, es la memoria más rápida del mercado). Con 8 de esos chips se consigue una unidad de 256Gbytes con una tasa de transferencia de 1 GByte por segundo.
Además tiene un tPROG de 500 μs y la tensión de alimentación es de 2.5V frente a los 3.3V de la anterior generación. Como resultado de todo esto, ofrece un 50% más de velocidad, un 30% más de densidad y un 30% menos de consumo que generación de 48 capas.
La idea es que la memoria de 64 capas V-NAND cubra el 50% de la producción de memoria flash de Samsung a finales de este año. No queda claro si el aumento de esta producción supondrá la reducción de otras memorias o será incremental, pero si la demanda permanece constante, podría bajar el precio del giga.