Comienza la transición a los 10nm

Cuando todavía no se han estrenado las últimas novedades en 14nm de los dos grandes del x86, los 10nm podrían ver la luz en pocos meses de la mano de Samsung.

La empresa surcoreana ha comenzado la producción en masa de sus chips de 10nm usando la tecnología finFET, siendo el primer fabricante en sacar un producto con tal nivel de integración. A su tecnología la han llamado 10LPE y según dicen, trae mejoras significativas con respecto a los actuales 14nm como un aumento del área del 30%, un rendimiento un 27% superior y un consumo un 40% inferior.

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DRAM de 20nm vs 10nm. Fuente: samsung.com

De 10LPE está previsto que aparezcan en el mercado los primeros productos en la primera mitad de 2017. En la segunda mitad del año que viene, comenzará su producción la segunda generación de los 10nm llamados 10LPP.

Recordemos que AMD decidió saltarse lo 10nm para entrar directamente en los 7. Por su parte, Samsung considera que este nuevo proceso de fabricación tendrá un largo recorrido en el tiempo, lo cual no resulta extraño dadas las dificultades técnicas que presentan los nuevos procesos. De esa forma, de aquí a un año los grandes fabricantes de semiconductores a excepción de AMD, (Intel, TSMC y Samsung), habrán migrado a los 10nm.

Además próximamente entrará a escena un nuevo actor: Taiwan’s United Microelectronics Corp. que compró una licencia de finFET a IBM hace unos años, aunque de momento parece que se va quedar en los 14nm.

Después de haber exprimido hasta el último céntimo a los 14nm, habrá que ver cuánto tiempo están entre nosotros los 10nm y hasta qué punto ha sido acertada la estrategia de GlobalFoundries (AMD) de saltarse ese nivel y pasar directamente a los 7nm, quedando en desventaja con respecto a sus competidores un año entero.

Vía Semiconductor Engineering.

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