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Los 10 nm de Intel son mejores de lo que parecen

Ayer se celebró el Technology and Manufacturing Day de Intel donde se dieron algunos detalles sobre el nuevo nivel de integración de sus procesadores.

Como suele pasar con la tecnología, siempre que hay un resquicio para hacer marketing engañoso, se aprovecha hasta la extenuación. Ha ocurrido en el pasado con cosas como la resolución interpolada de las cámaras de fotos y esta vez se traslada al tamaño de puerta de los transistores.

intel 10nm
No todos los 10nm logran la misma densidad de transistores

La forma de describir el tamaño de un transistor hoy en día es mediante la longitud de su puerta. En resumidas cuentas, cuanto más pequeña es la puerta, menos consume y mayor es densidad de transistores posible. El problema es que desde hace un tiempo, se están alcanzado los límites físicos dificultando el encogimiento y ahí es donde se está haciendo la trampa.

A día de hoy, los fabricantes que han logrado un tamaño comercial de puerta menor son TSMC y Samsung con sus 10nm. Como ya sabréis, la puerta es solo uno de los componentes de un transistor. Hasta no hace mucho, el resto de componentes reducía su tamaño de una forma más o menos proprocional, pero desde que han empezado a surgir dificultades, los distintos elementos del transistor han empezado a miniaturizarse a un ritmo diferente.

Por eso, describir la tecnología de un circuito integrado indicando tan solo el tamaño de puerta ha dejado de ser un indicador adecuado. Al final estos números no dejan de ser un instrumento del marketing que confunde al consumidor haciendo creer que un tamaño de puerta menor significa necesariamente un mejor proceso de fabricación.

En la conferencia que ofreció ayer Intel, se desvelaron datos que normalmente no suele formar parte de las características de los procesadores. Se trata del paso de puerta que será de 54 nm (frente a los 70nm anteriores) y el paso de metal que será de 36nm (frente a los 52 nm de los 14nm de puerta).

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Comparativa visual entre ambas generaciones. Fuente: Intel

Esto traducido al cristiano significa que la densidad de transistores va a aumentar en 2.7 veces hasta los 100 millones de transistores por mm² frente a la duplicación de densidad del resto de fabricantes de 10nm.  En la presentación se dieron otros datos que todavía están por comprobar, como que el nuevo nivel de integración ofrecerá un 25% más de rendimiento con un 45% menos de consumo, lo cual suena demasiado optimista si ambas mejoras no son excluyentes entre sí.

Sobre la fecha de salida no se ha confirmado nada, así que de momento se mantiene la anterior predicción de la segunda mitad de 2018. Se ha publicado un breve documento en PDF que se puede descargar desde aquí. Para más información tenéis la nota de prensa.

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